致芯科技AT91FR4042引导模式选择
ARM复位向量在地址0x0。NRST口线被释放后，ARM7TDMI执行存储于这个地址的指令。这就意味着复位之后这个地址必须映射到非易失的存储器中。NRST上升沿之前的10个时钟周期期间BMS引脚上的输入用来选择引导存储器的类型，如表1所列。如果嵌入的Flash存储器用作引导存储器，BMS输入必须被外部拉低，并且NCS0必须在外部与NCS7连接。
Flash存储器
16 Mbit的Flash存储器由1 048 576个16位字组成。Flash存储器通过EBI进行16位字寻址。它使用地址线A1~A20。
除了Flash存储器使能信号以外，所有的地址、数据和控制信号都是内部互连的。用户应当把Flash存储器使能信号（NCSF）和1个EBI上低电平有效的片选信号相连接。如果Flash存储器作为引导存储器使用，那么必须使用NCS0；同时BMS必须被外部拉低，以使处理器在复位后可以执行正确的16位取指操作。
引导时，必须为EBI配置正确的标准等待状态数目。例如，当微控制器运行于66 Hz时，需要5个标准等待状态。
用户必须确保所有的VDDIO、VDDCORE和所有的GND引脚通过最短的路线连接到各自的电源。Flash存储器在读模式下加电。命令序列用于将此器件置于其它的操作模式下，例如编程和擦除。
为了增加灵活性而提供的分离的Flash存储器复位输入引脚（NRSTF），使能复位操作以适应具体应用。当这个输入为逻辑高电平时，存储器处于它的标准操作模式；当这个输入为逻辑低电平时，暂停当前的存储器操作并使它的输出置于高阻状态。
Flash存储器被分为2个存储区（plane）。当从一个存储区执行读操作时，在另一个存储区可以同时执行编程或擦除功能。这一特性使得在执行读操作之前不需要系统等待一个编程或擦除周期的完成，从而增强了系统的性能。
为了方便擦除操作，Flash存储器被分成了39个扇区。为了进一步增强器件灵活性，还提供了擦除挂起特性。这一特性使得擦除周期被挂起一段不确定的时间，并允许用户执行从同一个存储区内任何一个其它扇区的读数据操作或向其写数据的操作。如果所读的数据在另一个存储区，则不需要挂起擦除周期。
Flash存储器的一个特性是它采用数据查询来检测一个编程周期的结束。当处于编程周期时，一个试图读取最后一个写入字的操作在I/O7上返回写入数据的补码值。开漏NBUSY输出引脚提供另一种检测编程周期或擦除周期是否结束的方法。当处于编程或擦除周期时，这个引脚被拉低，这个周期结束以后引脚恢复高电平。使用1个翻转位提供了检测编程或擦除周期是否结束的第3种方法。
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